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    六方氮化硼基复合陶瓷的烧结

    文章出处: 天元航材    责任编辑: 天元化工新材厂家    发布时间:2019-07-16 17:51:41    点击数:64    【
    [导读]: 六方氮化硼特殊的晶体结构使其具有较低的介电系数,低介电损耗,升华温度约3000℃(在氮气或惰性气体气氛下),良好的的耐热冲击性和机械加工性能......

    六方氮化硼基复合陶瓷的烧结

    六方氮化硼

    六方氮化硼特殊的晶体结构使其具有较低的介电系数,低介电损耗,升华温度约3000℃(在氮气或惰性气体气氛下),良好的的耐热冲击性和机械加工性能。但其低强度以及难烧结性能限制了六方氮化硼材料的应用。由于 B-N 键的强共价键具有相当低的自扩散系数,即使在高温(>2000℃)下烧结或在压力辅助下也难以获得致密材料。常在 h-BN 中引入烧结助剂或增强相(Al2O3,ZrO2,CaO,Sialon,Si3N4,AlN,SiC,YAG,Y2SiO5,莫来石等),以提高 h-BN 的烧结性能。主要的烧结方式有无压烧结、热压烧结(HPS)、等静压烧结(IPS)、放电等离子烧结(SPS)等。


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